| 1994-01 | Novel facet evolution of carbon-doped AlGaAs/GaAs multilayers on nonplanar substrate using CCl//4 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 안준오 |
| 1995-03 | Scanning tunneling microscopy를 이용한 Nanometer 크기의 구조제작에 관한 연구 | 김용; 김희진; 김무성; 민석기 |
| 1990-04 | Stress released layers formed by pulsed ruby laser annealing on GaAs-on-Si. | 김용; 김무성; KIM, EUN KYU; 김현수; 민석기; 이현우; 김재관; 이주천 |
| 1988-10 | Structural properties of GaAs grown on (100) Si substrates by MOCVD | 김용; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1993-01 | Study on the lateral island extension for growth-intersupted GaAs/Al0.3Ga0.7As single quantum wells grown by atmospheric-pressure metalorganic chemical vapor deposition | 김용; 김성일; 김무성; 민석기; 이민석; 김영덕 |
| 1992-01 | Temperature dependence of photoluminescence for GaAs/AlGaAs single quantum well grown by MOCVD with and without growth-interuption. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 김영덕; 이민석 |
| 1993-01 | Temperature dependent PL characteristics of C-doped GaAs by LPMOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석 |
| 1995-01 | The carbon doping characteristics of GaAs epilayers grown on GaAs substrates with various crystal orientations. | 김성일; 민석기; 민병돈; 황성민; 김무성 |
| 1995-01 | The facet evolution analysis of GaAs/AlGaAs multilayers grown on GaAs substrates with various patterns using CCl//4. | 김성일; 민석기; 황성민; 민병돈; 김무성 |
| 1993-01 | The properties of the quantum wires grown on V-grooved Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs substrate at atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition. | 김성일; 김무성; 민석기; 이민석; 김용; 김영덕; 남산 |
| 1994-01 | The study of facet evolution of AlGaAs/GaAs and AlAs/GaAs multilayers on mesa-patterned GaAs substrate by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 이민석; 박영주 |
| 1994-01 | The temperature dependence of the electrical properties of carbon doped GaAs. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성 |
| 1987-01 | Theoretical calculations on absorption, emission and gain spectra in AlGaAs active layer of the visible DH laser diode. | 김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성 |
| 1988-04 | X- 선 회절방법에 의한 Al// χ Ga//1//-// χ As,In// χ Ga//1//-// χ As 의 AlAs,InAs 조성결정 . | 김용; 김무성; 김현수; 박승철; 한철원; 민석기 |
| 1996-05 | 고농도로 탄소도핑된 InGaAs 에피층의 전기적성질에 대한 급속열처리효과 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김태근; 김용; 김무성; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1992-01 | 대기압 MOCVD 를 이용한 AlGaAs/GaAs SCH 단일양자우물 레이저 다이오드의 제작 . | 김용; 김정진; 김성일; 김무성; 오환술; 엄경숙; 민석기 |
| 1995-03 | 매사 (mesa)가 형성된 GaAs 기판위에 MOCVD로 성장시킨 AlGaAs/GaAs 다층박막의 결정면 성장거동의 온도의존성 | 김용; 박양근; 이민석; 김무성; 박용주; 김성일; 민석기; 박만장 |
| 1999-03-30 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
| 1998-09-01 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
| 1998-03-13 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
| 1995-06-19 | 실리콘기판상에 성장된GaAs에피택셜층의 유기금속화학 증착법에 의한 델타－도핑형성 방법 | 민석기; 김무성; 김용 |
| 1995-11-08 | 실리콘기판상에 성장된GaAs에피택셜층의 유기금속화학 증착법에 의한 델타－도핑형성 방법 | 민석기; 김무성; 김용 |
| 1994-01-25 | 실리콘기판상에 성장된GaAs에피택셜층의 유기금속화학 증착법에 의한 델타－도핑형성 방법 | 민석기; 김무성; 김용 |
| 1996-05 | 여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성 | 민병돈; 황성민; 손창식; 김성일; 김무성; 김은규; 민석기; 박만장 |
| 1989-01 | 이온주입된 실리콘의 excimer laser annealing 효과 . | 김성일; 김은규; 김용태; 김춘근; 김무성; 민석기 |
| 1993-01 | 이중 이종 접합 구조 스트라이프 타입 반도체 레이저 다이오드 특성 해석 . | 김성일; 김무성; 민석기 |
| 1992-01 | 저압 MOCVD 에 의한 GaAs 에피층의 Carbon 도핑특성 . | 김용; 김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성; 곽병현; 마동성 |
| 1995-01 | 홀로그래픽 리소그래픽 시스템의 제작 및 미세구조 형성 연구 . | 박경현; 김태근; 박정호; 김무성; 민석기; 이주희 |
| 1997-08-26 | 화학증착장치용 히터 | 민석기; 김용; 김성일; 김무성 |
| 1997-07-15 | 화학증착장치용 히터 | 민석기; 김용; 김성일; 김무성 |
