| 2020-05-28 | 4성분계 이상의 캘코제나이드 물질 설계 방법 및 설계된 물질 | 전영민; 김용태; 권세현; 김영환; 최민호; 김춘근 |
| 2020-06-30 | 4성분계 이상의 캘코제나이드 물질 설계 방법 및 설계된 물질 | 전영민; 김용태; 권세현; 김영환; 최민호; 김춘근 |
| 1991-01 | A new method to suppress encroachment by plasma deposited tungsten thin films. | 김용태; 민석기; 김충기 |
| 1988-01 | A study on the nucleation, growth and shrinkage of oxidation induced stacking faults(OSF), part I: nucleation and thermal behavior of oxidation induced stacking faults. | 김용태; 김춘근; 민석기 |
| 1988-01 | A stydy on the necleation, growth and shrinkage of oxidation induced stacking faults(OSF);-part II : Role of SiO//2 layer on the shrinkage of oxidation induced stacking faults(OSF) in P-type CZ silico | 김용태; 민석기 |
| 1996-01 | Advantages of Ruo//x bottom electrode in the dielectric and leakage characteristics of (Ba, Sr)TiO//3 capacitor. | 김용태; 이창우 |
| 2006-08-08 | AlN 열방출층 및 TiN 전극이 적용된 상변화 메모리 | 김성일; 김용태; 김인수; 김춘근; 염민수; 김영환 |
| 2007-12-11 | AlN 열방출층 및 TiN 전극이 적용된 상변화 메모리 | 김성일; 김용태; 김인수; 김춘근; 염민수; 김영환 |
| 2011-04-15 | AlN 열방출층 및 TiN 전극이 적용된 상변화 메모리 | 김성일; 김용태; 김인수; 김춘근; 염민수; 김영환 |
| 1994-01 | Annealing effects on the properties of TiW/WNx bilayer. | 김용태; D. J. Kim; C. S. Kwon; J. W. Park; 민석기 |
| 1990-01 | Characteristics of plasma enhanced chemical vapor deposition tungsten thin films. | 김용태; 민석기; 홍종성; 김충기 |
| 2012-03 | Design of Trench Gate GaN Power MOSFET using Al2O3 Gate Oxide | 김용태; 강이구 |
| 2019-05-10 | DNA와 접착단백질 기반의 초다공성 카본에어로겔의 제조와 제조방법 | 정용채; 고영일; 하유미; 이솔이; 이상재; 김영오; 김재우; 안석훈; 김용태; 김영남 |
| 1995-01 | Effect of excess oxygen on the properties of reactive sputtered RuO//x thin films. | 김용태; 이정건; 조성호; 민석기 |
| 1988-01 | Effect of flow rate ratios of SiH//4/NH//3/N//2 and SiH//4/NH//3/Ar on the properties of PECVD SiN//x:H films. | 김용태; 김춘근; 민석기 |
| 1990-01 | Effects of SiH//4 on resistivity of plasma enhanced chemical vapor deposition tungsten thin films. | 김용태; 민석기; 홍종성; 염상섭; 홍치유; 김충기 |
| 1993-01 | FAST SOLID-PHASE CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON FILMS ON GLASS USING LOW-TEMPERATURE MULTISTEP RAPID THERMAL ANNEALING | 이창우; 이주천; 김용태 |
| 1999-12 | Ferroelectic switching properties of highly c-axis oriented YMnO3 gate capacitors | 이호녕; 김익수; 김용태; 조성호 |
| 1987-12 | HB-GaAs 에서의 deep level 과 EL2 origin 에 관한 연구 : EL2(II). | 김은규; 조훈영; 박승철; 김용태; 민석기 |
| 1989-01 | Microwave plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride films. | 김용태; 김춘근; 민석기 |
| 1990-01 | PECVD 비정질 실리콘박막의 증착공정에 대한 이론적모델 및 실험결과 . | 김용태; 김진흥; 남철우; 우성일 |
| 1993-01 | PECVD 법으로 형성한 W//6//7N//3//3/GaAs 구조의 열적 특성 . | 김용태; 민석기; 홍종성; 이세정; 이창우; 이종무 |
| 1994-01 | Performance of plasma deposited tungsten and tungsten nitride schottky contacts to GaAs. | 김용태; 이창우; 민석기 |
| 1994-01 | Performance of the plasma deposited tungsten nitride barrier to prevent the interdiffusion of Al and Si. | 이창우; 김용태; 이주천; Jeong Yong Lee; 민석기; 박영욱 |
| 1993-01 | Performance of the plasma deposited tungsten nitride diffusion barrier for Al and Au metallization. | 김용태; 이창우; 민석기 |
| 1991-01 | Plasma enhanced chemical vapor deposition of low-resistive tungsten thin films. | 김용태; 민석기; 홍종성; 김충기 |
| 2003-06 | Pt/SBT/Si, Pt/SBT/Pt 강유전체 게이트 구조에서 수소 열화 현상 및 IR 게이트 전극에 의한 열화 방지 방법 | 박전웅; 김익수; 김성일; 김용태; 성만영 |
| 1999-01 | Relative absorption edges of GaN/InGaN/GaN single quantum wells and InGaN/GaN heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition | 김제원; 손창식; 장영근; 최인훈; 박영균; 김용태; O. Ambacher; M. Stutzmann |
| 1998-01 | RF power dependence of stresses in plasma deposited low resistive tungsten films for VLSI devices | 이창우; 고민경; 오환원; 우상록; 윤성로; 김용태; 박영균; 고석중 |
| 1999-12 | Role of Sb substitution for Bi site in SrBi2Ta2O9 thin film | 김주형; 이전국; 김용태; 채희권 |
