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1990-01Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD.김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기
1993-01Fabrication of single GaAs substrate by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석; 김영덕
1992-01Fabrication of single quantum well separate confinement heterostructure laser diode grown by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh
1993-01GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙
1996-01GaAs(100) 및 GaAs(311)A 기판위에 성장시킨 InGaAs 에피층의 격자변형에 관한 연구손창식; 진현철; 한철구; 이정훈; 강준모; 김용; 김무성; 민석기; 김창수
1997-11-20GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작 방법민석기; 이민석; 김용; 김무성
1989-04Growth and characterization of low-dislotation GaAs single crystal by the DM furnace박용주; 민석기; 김은규; 김용; 한철원; 심광보; 박승철
1988-09Heteroepitaxy of GaAs on silicon substrated by MOCVD.김용; 김무성; 김현수; 민석기
1994-01Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer.강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만
1988-08In/Ga alloy source 를 이용하여 VPE 법으로 성장한 In// χ Ga//1//-// χ As( χ 김용; 한철원; 김현수; 민석기
1999-09Measurement of the crystallinity and the optical properties for wafer-fused GaAs epilayers on InP substrates황성민; 이주영; 김은규; 강동훈; 최인훈; 김용
1996-01Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD.임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호
1993-03MOCVD 기법으로 제작한 AlyGa1-yAs/Al χ Ga1- χ As/AlyGa1-yAs strip-loaded 도파도의 전파손실 측정김용; 박경현; 최상삼; 김선호; 변영태
1989-10MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 .김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1989-06MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1991-01MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 .김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기
1996-09MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기
1991-02MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 .김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기
1988-11MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1990-02MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 .김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기
1994-01Novel facet evolution of carbon-doped AlGaAs/GaAs multilayers on nonplanar substrate using CCl//4 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 안준오
1995-01Plasma effect in dielectric cap quantum well disordering using plasma enhanced chemical vapor deposited SiN capping layer.이석; W. J. Choi; J. Zhang; 김용; S. K. Kim; 이정일; 강광남; K. Cho
1998-05Properties of wafer-fused In0.2Ga0.8As/GaAs and InP/GaAs heterointerfaces최창학; 황성민; 김용; 김은규; 민석기; 남산; 변재동
1995-03Scanning tunneling microscopy를 이용한 Nanometer 크기의 구조제작에 관한 연구김용; 김희진; 김무성; 민석기
1990-04Stress released layers formed by pulsed ruby laser annealing on GaAs-on-Si.김용; 김무성; KIM, EUN KYU; 김현수; 민석기; 이현우; 김재관; 이주천
1992-09Strip-loaded 반도체 도파로에서 Bend 높이에 따른 복사손실 .김용; 변영태; 박경현; 김선호; 최상삼
1988-10Structural properties of GaAs grown on (100) Si substrates by MOCVD김용; 김무성; 김현수; 민석기
1993-01Study on the lateral island extension for growth-intersupted GaAs/Al0.3Ga0.7As single quantum wells grown by atmospheric-pressure metalorganic chemical vapor deposition김용; 김성일; 김무성; 민석기; 이민석; 김영덕
1992-01Temperature dependence of photoluminescence for GaAs/AlGaAs single quantum well grown by MOCVD with and without growth-interuption.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 김영덕; 이민석
1993-01Temperature dependent PL characteristics of C-doped GaAs by LPMOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석

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