| 1996-10 | Fabrication and characterization modulation-doped-field-effect-transistors with antidot-patterned passivation layers. | 김은규; 민석기; 김무성; 황성우; 김태근; 한철구; 박정호; Y. S. Yu; W. I. Ha |
| 1999-07 | Facet evolution as a function of the surface migration length of Al0.5Ga0.5As/GaAs multilayers grown on mesa-patterned GaAs substrates | 김효진; 박영균; 김성일; 김은규; 김태환 |
| 2002-03 | Ga2O3 단결정의 질화 기구 연구 | 오청식; 박용주; 김은규; 염태호; 유영문 |
| 1997-09 | GaAs 표면의 질화 및 결함생성에 관한 연구 | 박용주; 민석기; 김은규 |
| 1996-01 | GaAs/AlGaAs quantum wire laser with an effective current blocking layer. | 김성일; 민석기; 김태근; 김은규; 박경현; 황성민; 박정호 |
| 1989-04 | Growth and characterization of low-dislotation GaAs single crystal by the DM furnace | 박용주; 민석기; 김은규; 김용; 한철원; 심광보; 박승철 |
| 1996-07 | Growth of TiO2 dielectric thin films on Si(100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and the electrical properties of the Al/TiO2/p-Si structures | 염상섭; 김은규; 민석기; 한영기; 임종수; 손맹호 |
| 1988-04 | HB-GaAs 내의 deep electron trap 들에 대한 열방출률과 활성화 에너지의 전기장 의존성 . | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1987-12 | HB-GaAs 에서의 deep level 과 EL2 origin 에 관한 연구 : EL2(II). | 김은규; 조훈영; 박승철; 김용태; 민석기 |
| 1996-01 | Heavily carbon-doped GaAs epilayers grown on (100) and 2 ˚ off (100) GaAs substrates using carbon tetrabromide. | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| - | High magnetoresistance of InSb with an embedded Au core | 서주영; KIM, WON YONG; Chang, Joonyeon; 김은규 |
| 2000-05-25 | III족 금속원소 질화물의 미세결정 제조방법 및 장치 | 박용주; 민석기; 김은규 |
| 1995-03 | In-situ process 에 의한 indium oxide 의 선택성장과 GaAs 패턴에칭 . | 김은규; K. Ozasa; Y. Aoyaki; 민석기 |
| 1996-10 | Instability of anodically sulfur-treated InP. | 김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park |
| 1988-02 | Isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 방법을 이용한 금속과 반도체 (GaAs) 접합의 계면상태에 관한 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1989-08 | Isothermal capacitance transient spectroscopy(ICTS) study for midgap levels in HB-GaAs by rapid thermal annealing. | 김은규; 조훈형; 민석기; 조성호 |
| 1992-08 | Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 1997-05 | Laser direct etching of Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs multilayer structures. | 박세기; 민병돈; 김성일; 김은규; 민석기; 이천; 안병성 |
| 1996-01 | Lateral growth rate enhancement on patterned GaAs substrate in [001] direction with CCl//4 by MOCVD. | 김성일; 민석기; 황성민; 김은규; 민병돈; 이민석; 맹선재 |
| 1998-07 | Localization of quantum dots by using a patterned gallium oxide mask layer | 박용주; 한철구; 장영준; 오치성; 정석구; 고동완; 김광무; 김은규; 민석기 |
| 1994-02 | MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 . | 김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기 |
| 1993-08 | MBE 장치에 의한 에피성장 균일도 계산 . | 김은규; 윤경식; 민석기 |
| 1999-09 | Measurement of the crystallinity and the optical properties for wafer-fused GaAs epilayers on InP substrates | 황성민; 이주영; 김은규; 강동훈; 최인훈; 김용 |
| 2004-07 | Mid-Infrared Quantum Cascade Laser | 한일기; 김은규 |
| 1989-10 | MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 . | 김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1996-09 | MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 | 김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기 |
| 1991-02 | MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 . | 김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기 |
| 1996-10 | Molecular-dynamics study of defect formation in hydrogenated amorphous silicon. | 박영균; 김은규; 민석기 |
| - | New Functional Hybrid Device Based on (Ga,Mn)As/Co Nano Particles | 서주영; Chang, Joonyeon; 김은규 |
| 1990-12 | Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS). | 김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원 |
