| 2000-05-25 | III족 금속원소 질화물의 미세결정 제조방법 및 장치 | 박용주; 민석기; 김은규 |
| 1995-03 | In-situ process 에 의한 indium oxide 의 선택성장과 GaAs 패턴에칭 . | 김은규; K. Ozasa; Y. Aoyaki; 민석기 |
| 1996-10 | Instability of anodically sulfur-treated InP. | 김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park |
| 1988-02 | Isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 방법을 이용한 금속과 반도체 (GaAs) 접합의 계면상태에 관한 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1989-08 | Isothermal capacitance transient spectroscopy(ICTS) study for midgap levels in HB-GaAs by rapid thermal annealing. | 김은규; 조훈형; 민석기; 조성호 |
| 1992-08 | Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 1997-05 | Laser direct etching of Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs multilayer structures. | 박세기; 민병돈; 김성일; 김은규; 민석기; 이천; 안병성 |
| 1996-01 | Lateral growth rate enhancement on patterned GaAs substrate in [001] direction with CCl//4 by MOCVD. | 김성일; 민석기; 황성민; 김은규; 민병돈; 이민석; 맹선재 |
| 1998-07 | Localization of quantum dots by using a patterned gallium oxide mask layer | 박용주; 한철구; 장영준; 오치성; 정석구; 고동완; 김광무; 김은규; 민석기 |
| 1994-02 | MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 . | 김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기 |
| 1993-08 | MBE 장치에 의한 에피성장 균일도 계산 . | 김은규; 윤경식; 민석기 |
| 1999-09 | Measurement of the crystallinity and the optical properties for wafer-fused GaAs epilayers on InP substrates | 황성민; 이주영; 김은규; 강동훈; 최인훈; 김용 |
| 2004-07 | Mid-Infrared Quantum Cascade Laser | 한일기; 김은규 |
| 1989-10 | MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 . | 김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1996-09 | MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 | 김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기 |
| 1991-02 | MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 . | 김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기 |
| 1996-10 | Molecular-dynamics study of defect formation in hydrogenated amorphous silicon. | 박영균; 김은규; 민석기 |
| - | New Functional Hybrid Device Based on (Ga,Mn)As/Co Nano Particles | 서주영; Chang, Joonyeon; 김은규 |
| 1990-12 | Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS). | 김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원 |
| 1996-04 | Post-growth annealing effects of low-temperature grown TiO//2 thin films on InP substrate by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. | 김은규; 민석기; 염상섭; 손맹호; 한영기; 왕채현 |
| 1996-04 | Postgrowth annealing effects of TiO//2 thin filmas grown on InP substrate at low-temperature by metal-organic chemical-va[pr deposition. | 김은규; 손맹호; 민석기; 한영기; 왕채현; 염상섭 |
| 1998-05 | Properties of wafer-fused In0.2Ga0.8As/GaAs and InP/GaAs heterointerfaces | 최창학; 황성민; 김용; 김은규; 민석기; 남산; 변재동 |
| - | Reversable magnetizations for crystal magnetic anisotropy on (Ga,Mn)As | 서주영; Chang, Joonyeon; Han, Suk Hee; 조영훈; Chun Seung-Hyun; 김은규 |
| 2003-12 | RF Magnetron Sputtering법으로 증착된 ZnNiO박막의 특성 | 오형택; 이태경; 김동우; 박용주; 박일우; 김은규 |
| 1991-06 | Role of hydrogen atom on metastable defects in GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기; C. Lee |
| 1987-12 | RTA 에 따른 HB-GaAs 에서의 midgap level 들에 관한 isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 연구 : EL2(I). | 김은규; 조훈영; 한철원; 김춘근; 민석기 |
| 1991-04 | RTA 에 의한 Si 내의 thermal donors 와 깊은 준위의 거동 . | 김은규; 조훈영; 김춘근; 민석기; 김현수; 심기대; 박만장 |
| 1990-02 | Si 이온주입된 반절연성 GaAs:Cr 의 열처리에 따른 깊은 준위연구 . | 김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원 |
| 1991-08 | Si 과 Be 이온이 공동주입된 GaAs 에 대한 전기 및 광학적 특성연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 이호섭; 강태원; 홍치유 |
| - | Spin Transport in a Sub-micron Sized Structure Using Vanadium Metal Masks | Han dong seok; Koo, Hyun Cheol; Chang, Joonyeon; Han, Suk Hee; 김은규; Eom Jonghwa |
