Showing results 76 to 105 of 132
Issue Date | Title | Author(s) |
---|---|---|
1999-10-21 | 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조방법 | 김은규; 최원철; 민석기 |
1998-09-01 | 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화 방법 | 김은규; 박용주; 민석기 |
1998-12-05 | 게이트의 미세구조 패시베이션에 의한전계효과트랜지스터의 성능 개선방법 | 민석기; 황성우; 김은규 |
1999-10-21 | 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광및 전류차단구조 및 그 제조 방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
2003-03-27 | 경사진 기판을 이용한 양자점 어레이형성방법 | 김은규; 김효진; 박용주; 김태환 |
2004-01-27 | 경사진 기판을 이용한 양자점 어레이형성방법 | 김은규; 김효진; 박용주; 김태환 |
1996-05 | 고농도로 탄소도핑된 InGaAs 에피층의 전기적성질에 대한 급속열처리효과 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김태근; 김용; 김무성; 김은규; 민석기; 최인훈 |
1999-06-16 | 고밀도 양자점 어레이 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김춘근; 김용 |
1998-10-27 | 고출력양자세선어레이 레이저다이오드 구조 제작방법 | 민석기; 김은규; 김태근 |
1998-12-24 | 고출력양자세선어레이 레이저다이오드 구조 제작방법 | 민석기; 김은규; 김태근 |
1999-06-16 | 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
1999-11-12 | 광전소자의 전류차단구조 형성방법 | 김성일; 손창식; 민석기; 김용; 김은규; 박영균 |
2001-04 | 급속열처리산화법으로 형성시킨 SiO₂/나노결정 Si의 전기적 특성 연구 | 김용; 박경화; 정태훈; 박홍준; 이재열; 최원철; 김은규 |
1988-12 | 다결정 GaAs 에 대한 전기적 특성 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
1997-03 | 다공질실리콘 표면의 기체반응에 대한 전기특성 . | 김은규; 민석기; 유종훈 |
1989-02 | 무전위 GaAs:In 의 급속열처리에 따른 깊은 준위 전자덫 연구 . | 김은규; 조훈영; 박일우; 민석기; 심광보; 한철원; 조성호 |
2001-01 | 반도체 양자점 소자 | 김은규 |
2000-12 | 반도체, 그 반세기의 역사와 미래 : 트랜지스터부터 양자 IC까지 | 김은규; 노삼규 |
2000-10-26 | 반도체 과도용량 측정장비의 온도조절장치 | 김춘근; 김은규; 박용주 |
2004-07-07 | 보자력 차이를 이용한 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막 제조방법 | 김광윤; 김은규; 최원준 |
1999-09-15 | 산화 알루미늄 갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
1999-06-16 | 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김춘근; 김용 |
2002-09-27 | 세륨실리케이트 발광재료 및 그 제조방법 | 최원철; 김은규 |
1991-04 | 수소화에 따른 N 형 GaAs 의 전기적 특성 변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 박승철; 김현수 |
1988-07 | 수소화에 의한 GaAs 내의 deep level 생성 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 김재붕; 장진 |
1999-03-23 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
1999-03-16 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
2000-03-31 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
1999-05-10 | 실리콘 미세결정 제조 방법 | 민석기; 김은규 |
1997-11 | 양극 산화법에 의한 자연 산화막의 특성 및 응용 | 박용주; 민석기; 김은규; 장영준; 한철구; 김광무; 오치성; 박창엽 |