| 1992-07 | Behavior of the two-dimensional electron gas in Si delta-doped GaAs grown by atmospheric MOCVD. | 김용; 김태환; 김무성; 민석기 |
| 1989-08 | Behaviour of transition metal tungsten in bulk GaAs crystal | 박용주; 한철원; 심광보; 박승철; 민석기 |
| 1996-07 | CBr4 가스를 사용하여 (100) 및 2 ˚ off (100) GaAs 기판 위에 성장한 탄소도핑된 GaAs 에피층의 전기적 성질 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1997-08-08 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1998-11-21 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1999-02-02 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1994-01 | CCl4 가스를 이용한 대기압 MOCVD로 성장시킨 InGaAs에서의 탄소도핑 특성 | 김용; 손창식; 김성일; 이민석; 김무성; 최인훈; 민석기 |
| 1996-07 | Characteristics of a nitrogen gas-pulsed electron cyclotron resonance plasma | 박용주; 김은규; 민석기; K. Ozasa; P. O'Keeffe; Y. Aoyagi |
| 1990-01 | Characteristics of plasma enhanced chemical vapor deposition tungsten thin films. | 김용태; 민석기; 홍종성; 김충기 |
| 1995-03 | Characteristics of Ru and RuO₂ schottky contacts on hydrogenated N-type GaAs. | 박용주; 김은규; 이종근; 최원철; 민석기 |
| 1996-01 | Characteristics of the plasma-induced GaAs nitride layer and its application for the selective area growth. | 김성일; 민석기; 김은규; 박영주; 최원철; 이상훈; 손맹호 |
| 1991-01 | Characterization of a MOCVD grown GaAs/AlGaAs superlattice using spectroscopic ellipsometry. | 김용; 김무성; 김상열; 엄경숙; 민석기 |
| 1987-12 | Computer simulation analysis for the overlapped DLTS signal of midgap electron traps in HB-GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1996-01 | Cross sectional analysis of laser etched groove on AlGaAs/GaAs multilayers. | 김성일; 민석기; 박세기; 김은규; 이천 |
| 1988-03 | Deep trap studies in HB-GaAs using DLTS and optical DLTS. | 김은규; 조훈영; 민석기; S. C. Park; C. W. Han |
| 1990-03 | Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI). | 김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1997-05 | Dependence of the electrical properties of carbon-doped GaAs and AlGaAs epilayers on the surface crystallographica orientation | 손창식; 박영균; 이승백; 김용; 김은규; 최인훈; 김성일; 민석기 |
| 1995-01 | Effect of excess oxygen on the properties of reactive sputtered RuO//x thin films. | 김용태; 이정건; 조성호; 민석기 |
| 1988-01 | Effect of flow rate ratios of SiH//4/NH//3/N//2 and SiH//4/NH//3/Ar on the properties of PECVD SiN//x:H films. | 김용태; 김춘근; 민석기 |
| 1996-01 | Effects of a rapid thermal annealing on the electrical properties of heavily carbon-doped InGaAs. | 손창식; 김성일; 김태근; 김용; 김무성; 민석기 |
| 1996-01 | Effects of hydrogen plasma on the formation of self-organized InAs-quantum dot structure. | 박용주; 김은규; 민석기; K. Ozasa; Y. Aoyagi |
| 1990-01 | Effects of SiH//4 on resistivity of plasma enhanced chemical vapor deposition tungsten thin films. | 김용태; 민석기; 홍종성; 염상섭; 홍치유; 김충기 |
| 1988-12 | EL2 준위에 대한 Photocapacitance quenching 과 열회복 현상 : EL2(III). | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1995-11 | Electrical property of TiO2 dielectric thin films grown on n-type InP(100) substrates by low-pressure MOCVD | 김은규; 손맹호; 한영기; 왕채현; 염상섭; 임종수; 민석기 |
| 1989-10 | Excimer 레이저 annealing 된 HB-GaAs 내의 깊은 준위 연구 . | 김은규; 조훈영; 김성일; 민석기 |
| 1992-06 | Excimer laser illumination 에 따른 실리콘반도체 특성변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 1994-01 | Experimental and computational analysis of AlGaAs/GaAs/InGaAs heteroface solar cells grown by low-pressure MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 안준오; 박양근 |
| 1996-10 | Fabrication and characterization modulation-doped-field-effect-transistors with antidot-patterned passivation layers. | 김은규; 민석기; 김무성; 황성우; 김태근; 한철구; 박정호; Y. S. Yu; W. I. Ha |
| 1990-01 | Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD. | 김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
| 1993-01 | Fabrication of single GaAs substrate by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석; 김영덕 |
