| 1995-01 | Effect of excess oxygen on the properties of reactive sputtered RuO//x thin films. | 김용태; 이정건; 조성호; 민석기 |
| 1988-01 | Effect of flow rate ratios of SiH//4/NH//3/N//2 and SiH//4/NH//3/Ar on the properties of PECVD SiN//x:H films. | 김용태; 김춘근; 민석기 |
| 1996-01 | Effects of a rapid thermal annealing on the electrical properties of heavily carbon-doped InGaAs. | 손창식; 김성일; 김태근; 김용; 김무성; 민석기 |
| 1996-01 | Effects of hydrogen plasma on the formation of self-organized InAs-quantum dot structure. | 박용주; 김은규; 민석기; K. Ozasa; Y. Aoyagi |
| 1990-01 | Effects of SiH//4 on resistivity of plasma enhanced chemical vapor deposition tungsten thin films. | 김용태; 민석기; 홍종성; 염상섭; 홍치유; 김충기 |
| 1988-12 | EL2 준위에 대한 Photocapacitance quenching 과 열회복 현상 : EL2(III). | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1995-11 | Electrical property of TiO2 dielectric thin films grown on n-type InP(100) substrates by low-pressure MOCVD | 김은규; 손맹호; 한영기; 왕채현; 염상섭; 임종수; 민석기 |
| 1989-10 | Excimer 레이저 annealing 된 HB-GaAs 내의 깊은 준위 연구 . | 김은규; 조훈영; 김성일; 민석기 |
| 1992-06 | Excimer laser illumination 에 따른 실리콘반도체 특성변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 1994-01 | Experimental and computational analysis of AlGaAs/GaAs/InGaAs heteroface solar cells grown by low-pressure MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 안준오; 박양근 |
| 1996-10 | Fabrication and characterization modulation-doped-field-effect-transistors with antidot-patterned passivation layers. | 김은규; 민석기; 김무성; 황성우; 김태근; 한철구; 박정호; Y. S. Yu; W. I. Ha |
| 1990-01 | Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD. | 김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
| 1993-01 | Fabrication of single GaAs substrate by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석; 김영덕 |
| 1992-01 | Fabrication of single quantum well separate confinement heterostructure laser diode grown by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh |
| 1993-01 | GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구 | 박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙 |
| 1989-05 | GaAs single crystal growth by the monitoring(DM) crystal grower. | 박용주; 박승철; 한철원; 민석기; 심광보 |
| 1991-05 | GaAs single crystal growth by the VGF technique. | 박용주; 박승철; 한철원; 민석기; 심광보 |
| 1997-09 | GaAs 표면의 질화 및 결함생성에 관한 연구 | 박용주; 민석기; 김은규 |
| 1996-01 | GaAs(100) 및 GaAs(311)A 기판위에 성장시킨 InGaAs 에피층의 격자변형에 관한 연구 | 손창식; 진현철; 한철구; 이정훈; 강준모; 김용; 김무성; 민석기; 김창수 |
| 1996-01 | GaAs/AlGaAs quantum wire laser with an effective current blocking layer. | 김성일; 민석기; 김태근; 김은규; 박경현; 황성민; 박정호 |
| 1997-11-20 | GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작 방법 | 민석기; 이민석; 김용; 김무성 |
| 1989-04 | Growth and characterization of low-dislotation GaAs single crystal by the DM furnace | 박용주; 민석기; 김은규; 김용; 한철원; 심광보; 박승철 |
| 1994-01 | Growth and characterization of semi-insulating GaAs co-doped with Cr and In by vertical gradient freeze technique. | 박용주; 민석기; 심기대; 박만장 |
| 1994-06 | Growth and characterization of VGF GaAs single crystal under the application of axial magnetic field. | 박용주; 민석기; 윤경식 |
| 1991-01 | Growth of GaAs crystal by an improved VGF apparatus. | 한철원; 심광보; 박용주; 박승철; 민석기 |
| 1996-07 | Growth of TiO2 dielectric thin films on Si(100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and the electrical properties of the Al/TiO2/p-Si structures | 염상섭; 김은규; 민석기; 한영기; 임종수; 손맹호 |
| 1988-04 | HB-GaAs 내의 deep electron trap 들에 대한 열방출률과 활성화 에너지의 전기장 의존성 . | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1987-12 | HB-GaAs 에서의 deep level 과 EL2 origin 에 관한 연구 : EL2(II). | 김은규; 조훈영; 박승철; 김용태; 민석기 |
| 1996-01 | Heavily carbon-doped GaAs epilayers grown on (100) and 2 ˚ off (100) GaAs substrates using carbon tetrabromide. | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1988-09 | Heteroepitaxy of GaAs on silicon substrated by MOCVD. | 김용; 김무성; 김현수; 민석기 |
