| 1999-12 | A basic research for the microbolometer using Vanadium Oxide thin films | 문성욱; 김민철; 강호관; 윤영수; 서상희; 오명환; 김도훈 |
| 2000-10 | A study on Fabrication of Thermopile Infrared Detector | 이성준; 주병권; 이윤희; 서상희; 오영제; 김태윤; 김철주 |
| 1991-01 | A study on the active layer dissolution of InP/InGaAsP/InP DH structure for 1.55㎛ long-wavelength grown by liquid phase epitaxy | 서상희; 김을락; 곽노정; 최인훈 |
| 1993-01 | A study on the growth and characteristics of LPE Cd0.94Zn0.06Te | 서상희; 곽노정; 최인훈; 임성욱 |
| 1991-01 | A study on the LPE growth of InP/GaInAsP and its lasing wavelength. | 서상희; 이경구; 전준범; 이용탁; 최인훈; 박찬용 |
| 1999-12 | A study on the MOVPE CdTe layers for passivation of HgCdTe | 송종형; 홍진기; 김선웅; 박만장; 정관욱; 김진상; 서상희 |
| 2004-02-27 | Cd/Hg 분위기에서 열처리에 의한 HgCdTe 접합다이오드의 패시배이션 방법 | 김진상; 서상희 |
| 1998-12 | CdZnTe Passivation of HgCdTe by Using Electron Beam Evaporation and Its Interfacial Properties | 김진상; 정관욱; 서상희; 송종형 |
| 1996-12 | CdZnTe를 이용한 HgCdTe 표면의 passivation에 관한 연구 | 이태석; 최경구; 정용택; 김흥국; 김재묵; 김영훈; 송종형; 장진만; 송원선; 김선웅; 박만장; 서상희; 이상돈 |
| 2001-09 | Characteristics of MOVPE grown HgCdTe on GaAs and CdZnTe substrates | 김진상; 서상희 |
| 2001-06 | Characteristics of photovoltaic HgCdTe devices for short wavelength infrared detectors | 김진상; 안세영; 전용우; 서상희 |
| 1988-01 | Cooling rate dependence of the morphology of Hg0.80Cd0.20Te liquid phase epitaxial layer. | 서상희; D. A. Stevenson |
| 1994-01 | Double crystal X-ray diffraction studies of ZnSe on (100) GaAs grown by MBE. | 서상희; 김진상; 정수진; 임성욱 |
| 1990-01 | Effect of Hg-annealing at different temperatures on the electrical properties of LPE grown Hg0.8Cd0.2Te. | 서상희; 최종술; 정용택; 김재묵; 문성욱 |
| 1991-01 | Effect of misorientation of(111) CdTe substrate on the surface morphology of Hg0.7Cd0.3Te grown by an LPE process. | 서상희; 곽노정; 임성욱; 김재묵; 최인훈 |
| 1992-01 | Effect of the DeTe/DmCd mole ratio on the surface morphology of MOVPE grown CdTe/GaAs epi layer. | 서상희; 송원준; 최인훈 |
| 1988-01 | Effect of the growth rate on the dislocation density and distribution of CdTe single crystals grown by a vertical bridgman method. | 서상희; 송원준; 임성욱; 최인훈; 김재묵 |
| 1986-01 | Effect of the melting rate on the carbide cell size in an electroslag remelted high speed steel ingot. | 서상희; 최주 |
| 1986-01 | Effect of the melting rate on the solidification rate in the ESR process. | 최주; 서상희; Renpei Yoda |
| 1979-01 | Effects of Remelting of Tool Steels by the Electroslag Remelting Process | 서상희; 최주; 최형섭 |
| 2001-08 | Electrical properties of MOVPE grwon HgCdTe on KOH pretreated GaAs substrates | 김진상; 서대원; 서상희; 안세영 |
| 1976-01 | ESR 에서 용해속도가 잉고트 미세조직에 미치는 영향 . | 서상희; 최주; 최형섭 |
| 1990-01 | Evolution of surface morphology during LPE growth of Hg0.7Cd0.3Te. | 서상희; 임성욱; 김재묵; 송원준; 문성욱; 최인훈 |
| 2001-09 | Flip chip bonder for automatic parallel aligning of IR sensor and read out integrated circuits | 서상희; 김진상; 안세영 |
| 1995-09 | Growth of HgCdTe epi-layers using MOVPE and surface morphology improvement. | 서상희; 문성욱; 송종형; 박만장; 김봉진; 김긍호 |
| 1998-01 | Hg-annealing behavior of x=0.3 HgCdTe epitaxial layers | 서상희; 김진상; 송종형; 김제원 |
| 1996-12 | Hg-확산에 의한 HgCdTe PV diode 제작 및 특성 | 송종형; 박만장; 서상희 |
| 2009-04 | Hg1-xCdxTe를 이용한 64×1 선형 적외선 감지 소자 제작 | 김진상; 서상희 |
| 2006-01-09 | HgCdTe 적외선 감지 소자의 표면 보호막의 제조 방법 | 김진상; 서상희; 정용철; 정연식; 안세영; 김영환 |
| 2005-10-24 | HgCdTe광다이오드 제조방법 | 김진상; 안세영; 김영환; 서상희 |
