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Issue Date | Title | Author(s) |
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2011-03-07 | 자발 형성 반-양자 구조물의 제조 방법 | 송진동; 임주영; 한석희; 이정일; 최원준 |
2004-03 | 자발성형 InAs/GaAs 양자점의 구조 및 성장 특성 | 김형석; 서주영; 박찬경; 이상준; 노삼규; 송진동; 박용주; 이정일 |
2004-04 | 저온 분자선 에피택시법을 이용한 GaMnAs 자성반도체 성장 및 특성 연구 | 박진범; 고동완; 박용주; 오형택; 신춘교; 김영미; 박일우; 변동진; 이정일 |
1998-12 | 저차원 반도체의 물리학과 응용 | 노삼규; 이정일 |
1997-12-11 | 전자빔 리소그래피 장치 및 이를 이용한 다층 정렬 방법 | 김회종; 강광남; 이정일; 이명복; 최원준; 이유종; 한일기 |
2008-12-12 | 좁은 광퍼짐을 갖는 반도체 레이저 | 송진동; 한일기; 이정일; 조운조; 최원준 |
2006-07 | 투과전자 현미경으로 살펴 본 자발성형 InAs/GaAs 양자점의 구조 및 응력 특성 | 김형석; 서주영; 박찬경; 이상준; 노삼규; 송진동; 박용주; 최원준; 이정일 |
1993-01 | 파장 가변 다전극 DBR 레이저의 잡음 특성에 관한 연구 . | 강광남; 최원준; 이석; 김회종; 이정일; 박홍이 |
1999-07 | 프랑스의 광자공학 (CNRS를 중심으로 ) | 이정일 |
1995-01 | 화학선속 증착법 (Chemical Beam Epitaxy) 으로 성장한 InGaAsP 시료의 광루미네슨스 특성 . | 강광남; 우덕하; 한일기; 최원준; 김회종; 김선호; 이정일 |
2009-11 | 화학적 빔 에피탁시에 의한 평면구조에서의 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피 성장 | 한일기; 이정일 |
1994-12 | 황처리가 Metal/InP 와 Si//3N//4/InP 계면에 미치는 영향 . | 강광남; 이정일; 한일기; 허준; 임한조; 김충환 |
2008-09-29 | 후열처리 공정을 통한 금속 나노고리 형성 방법 | 송진동; 임주영; 한석희; 이정일; 최원준 |