| 1991-01 | GaAs 기판상에 구성된 방향성 결합기를 이용한 진행파형 광변조기의 특성 최적화에 관한 연구 . | 강광남; 이정일; 최원준; 홍성철; 한일기 |
| 2019-03-05 | GaAs EPD 향상을 위한 온도 구배 안정화 장치 | 최원준; 김덕준; 정현석 |
| 2009-07 | GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 | 김광웅; 조남기; 송진동; 이정일; 박정호; 이유종; 최원준 |
| 1994-01 | Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer. | 강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만 |
| 2009-10-07 | In(As)Sb 반도체의 격자 부정합 기판상 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자 | 송진동; 최원준; 장준연; 임주영 |
| 2010-03-30 | In(As)Sb 반도체의 격자 부정합 기판상 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자 | 송진동; 최원준; 장준연; 임주영 |
| 2003-08 | InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성에 미치는 InxGa1-xAs 비대칭 변형 완화층의 효과 | 임재구; 최은하; 박용주; 박영민; 송진동; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일 |
| 2007-10 | InAs/GaAs 자발형성 양자점을 기반으로 하는 나노광소자 | 최원준 |
| 2007-09 | InGaAs 양자점 레이저 다이오드와 양자우물 레이저 다이오드의 특성 비교 | 정경욱; 김광웅; 유성필; 조남기; 박성준; 송진동; 최원준; 이정일; 양해석 |
| 2015-11 | Investigation of detection wavelength of Quantum Well Infrared-Photodetector | Sung Ho Hwang; Jae Gu Lim; Jin Dong Song; Jae Cheol Shin; Du Chang Heo; 최원준 |
| 2013-08-08 | LED를 이용한 해수내 광통신 시스템 | 송진동; 이정일; 최원준; 한일기 |
| 2006-03 | MBE로 성장된 In0.5Ga0.5As/GaAs 양자점 원적외선 수광소자의 수소화 처리가 광학적 특성에 미치는 특이영향 | 임주영; 송진동; 최원준; 이정일; 양해석; Cho, Woon Jo |
| 2023-03 | Punctuated growth of InAs quantum dashes-in-a-well for enhanced 2-μm emission | Chu, Rafael Jumar Abella; Kim, Yeonhwa; Woo, Seungwan; 최원준; 정대환 |
| - | SoC Platform Design for Bio-Sensor Signal Processing | 최원준; 김종성; Jang Moon Su; 박종식; Jang Yong Ju; LEESUNGSU; 위재경; Lee, Seok; Woo, Deok Ha |
| 2005-08 | Structure and thermal stability of atomic layer epitaxy grown InAs/GaAs (001) quantum dots | 김형석; 서주형; 박찬경; 이상준; 노삼규; 송진동; 박용주; 최원준; 이정일 |
| 2015-01-29 | Upconversion 형광체 효율 향상을 위한 플라즈몬 공명 구조 및 이를 이용한 태양광 전지 | 고형덕; 장호성; 고두현; 임주원; 최원준; 김정혁; 한일기 |
| 2014-04-17 | 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법 | 송진동; 이은혜; 한일기; 오현지; 최원준; 배민환 |
| 2014-01-09 | 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법 | 송진동; 이은혜; 한일기; 최원준; 배민환 |
| 2017-05-29 | 고속 에피택셜 리프트오프를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 | 김상현; 최원준; 박민수; 금대명 |
| 2018-07-03 | 고속 에피택셜 리프트오프를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 | 김상현; 최원준; 박민수; 금대명 |
| 2016-10-06 | 광전-열전 융합 발전 소자 제조 방법 | 최원준; 백승협; 이기석; 백정민; 김상현 |
| 2006-03 | 광학적 방법으로 측정된 양자우물 안의 InAs 양자점의 에너지 준위 | 남형도; 곽호상; L.Doyennette; 송진동; 최원준; 이정일; 조용훈; F. H. Julien; 최정우; 양해석; Cho, Woon Jo |
| 2019-11-11 | 나노선 어레이 제조방법 및 이를 포함하는 변형센서 제조방법 | 최원준; 이혜진; 백정민 |
| 2006-06 | 나노포토닉스에서 양자정보시대까지: InAs/GaAs 자발형성 양자점을 중심으로 | 최원준; 송진동; 이정일 |
| 2008-03-28 | 넓은 파장의 광을 방출하는 발광소자 | 송진동; 최원준; 이정일; 조운조; 한일기 |
| 2002-12 | 다양한 반도체-유전체 덮개층 조합을 이용한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 무질서화 | 조재원; 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남 |
| 2006-05 | 디지털 합금 AlGaAs층을 이용하여 제작된 GaAs/AlGaAs DBR의 균일도 향상 | 조남기; 송진동; 최원준; 이정일; 전헌수 |
| 2007-01-17 | 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경 | 송진동; 이정일; 최원준 |
| 2014-07-15 | 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경 | 송진동; 이정일; 최원준 |
| 1995-01 | 레이저 빛살 세기가 AlGaAs/GaAs/InGaAs double heterostructure pseudomorphic HEMT 의 직류 및 고주파 특성에 미치는 영향 . | 강광남; 우덕하; 한일기; 최원준; 김회종; 김선호; 이정일; 조규만; 김성진; 김동명; 정해양 |
