| 1996-07 | Ohmic 층으로서 HgSe/GaAs의 성장 조건 및 HgSe/p-ZnSe/GaAs 구조의 전기적 특성 | 김제원; 최인훈; 김진상; 서상희 |
| - | One-step selective growth of GaAs on V-groove patterned GaAs substrate using CBr4 and CCl4 | KIM EUN KYU; Kim Seong Il; KIM YOUN; PARK YOUNG KYUN; SON CHANG-SIK; 한철구; 황성민; Min Suk-Ki; 최인훈 |
| - | Optical constants of AlGaN grown by molecular beam epitaxy | Jewon Kim; SON CHANG-SIK; 최인훈; PARK YOUNG KYUN; Kim Yong Tae; O. Ambacher; M. Stutzmann |
| - | Optical properties of AlxGa1-xN grown by plasma induced molecular beam epitaxy | Jewon Kim; SON CHANG-SIK; 최인훈; PARK YOUNG KYUN; Kim Yong Tae |
| 1998-01 | Passivation of HgCdTe by thermal evaporated CdZnTe | 김제원; 송종형; 최인훈; 김진상; 서상희 |
| - | Photothermal deflection spectroscopy on InGaN/GaN heterostructures | Jewon Kim; PARK YOUNG KYUN; Kim Yong Tae; SON CHANG-SIK; 최인훈; O. Ambacher; M. Stutzmann |
| 1999-01 | Relative absorption edges of GaN/InGaN/GaN single quantum wells and InGaN/GaN heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition | 김제원; 손창식; 장영근; 최인훈; 박영균; 김용태; O. Ambacher; M. Stutzmann |
| - | Role of restrained vertical growth in realizing one-step maskless selective epitaxy on patterned GaAs substrate | SON CHANG-SIK; PARK YOUNG KYUN; Kim Seong Il; KIM EUN KYU; 최인훈 |
| - | Structural and electrical characteristics of ZrO ₂ as a gate dielectric and buffer layer grown by RF magnetron sputtering | 임근식; 최훈상; 이종한; Kim Yong Tae; Kim Seong Il; 최인훈 |
| - | Surface orientation dependent carbon incorporation in to GaAs epilayers grown by atmospheric pressure MOCVD using CBr//4. | SON CHANG-SIK; MIN BYUNG DON; Kim Seong Il; KIM YOUN; KIM EUN KYU; Min Suk-Ki; 최인훈 |
| - | The changes of the properties of Pt/SrBi2Ta2O9/Pt capacitors and Pt/SrBi2Ta2O9/CeO2/Si structures by post-annealing and their origin | 신동석; 최훈상; Ho Nyung Lee; Kim Yong Tae; PARK YOUNG KYUN; 최인훈 |
| 1992-01 | The effect of dislocation density of CdTe(CdZnTe) substrated on the dislocation density and distribution of LPE grown Hg0.7Cd0.3Te. | 서상희; 임성욱; 김재묵; 송원준; 최인훈 |
| 1990-01 | The effect of growth temperature on the surface morphology and composition of LPE growing Hgl-xCdxTe. | 서상희; 임성욱; 최인훈 |
| 1992-01 | The effect of lattice mismatch on the dislocation density and distribution in LPE-grown HgCdTe/CdTe(CdZnTe) hetero-junction. | 서상희; 임성욱; 곽노정; 최인훈; 김재묵; 문성욱 |
| - | The effects of various bottom electrodes in MFM structure on the ferroelectric properties of SrBi2Nb2O9 thin films using RF magnetron sputtering | 최훈상; 이종한; 임건식; 강민정; 최인훈; Kim Yong Tae; Kim Seong Il |
| - | The growth of high quality GaAs epilayers on stripe patterned InP substrates with a transferred GaAs fused layer | 황성민; Park Young Ju; KIM EUN KYU; 최인훈 |
| - | The growth of high quality GaAs epilayers on stripe patterned InP substrates with a transferred GaAs fused layer | 황성민; LEE JU YOUNG; KIM EUN KYU; 최인훈; KIM YOUN |
| - | Top electrode annealing effects in Pt/SrBi//2Ta//2O//9/CeO//2/Si structure | 신동석; Kim Yong Tae; 최인훈; 조성호 |
| 2003-11 | V 홈 바닥에 형성된 일차원 InAs 양자점 | 손창식; 최인훈; 박용주 |
| - | V₂O5/V/V₂O5 based uncooled infrared detector by MEMS technology | 한용희; 허재성; 최인훈; KIM GEUN TAE; Shin Hyun Joon; 치엔; Moon Sung Wook |
| 1992-01 | X-TEM study of the distribution and origion of misfit dislocations in LPE-grwon HgCdTe/CdTe(CdZnTe). | 서상희; 임성욱; 김재묵; 곽노정; 최인훈; 김진상; 금동화 |
| 1996-05 | 고농도로 탄소도핑된 InGaAs 에피층의 전기적성질에 대한 급속열처리효과 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김태근; 김용; 김무성; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 2003-08 | 단일 공정에 의한 고효율 단일모드 반도체 레이저 구조 제작을 위한 고밀도 양자 나노구조 형성 | 손창식; 백종협; 김성일; 박용주; 김용태; 최훈상; 최인훈 |
| 1999-05 | 사파이어 기판 위에 성장된 AlGaN 에피층의 광 흡수 특성 | 김제원; 박영균; 김용태; 최인훈 |
| 2006-02 | 수소 및 비소 이온 조사에 의한 InGaAsP-InP 양자우물 구조의 청색이동 | 이종한; 최인훈; 신상원; 황정남; 변영태; 최경선; 김태곤; 송종한 |
| 1997-11 | 유기금속 화학기상 증착법으로 성장시킨 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 띠간격 축소 효과 | 김성일; 민석기; 김은규; 조신호; 이달진; 최인훈 |
| 2006-01 | 이온빔 나노 패터닝을 위한 양극산화 알루미나의 이온빔 투과 | 신상원; 이종한; 이성구; 이재용; 황정남; 최인훈; 이관희; 정원용; 문현찬; 김태곤; 송종한 |
| 1974-09-25 | 크롬－알미늄 내열주강의 제조방법 | 최인훈; 강일구 |
| - | (Undefined) | 최훈상; 조금석; Kim Yong Tae; 이관; 이종한; Kim Seong Il; 최인훈 |
| - | (Undefined) | Jewon Kim; 최인훈; PARK YOUNG KYUN; Kim Yong Tae |
