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Issue DateTitleAuthor(s)
2008-11Effects of the AlSb Buffer Layer and the InAs Channel Thickness on the Electrical Properties of InAs/AlSb-Based 2-DEG HEMT StructuresShin, S. H.; Lim, J. Y.; Song, J. D.; Kim, H. J.; Han, S. H.; Kim, T. G.
2006-11Transport property of insulating barrier in a ferromagnet-semiconductor hybrid systemKoo, H. C.; Yi, Hyunjung; Song, J. D.; Chang, Joonyeon; Han, S. H.
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