비정질 하프늄인듐징크옥사이드 산화물 반도체의 공정 파워에 따른 트랜지스터의 전기적 특성 연구

Abstract

본 논문에서는 비정질 하프늄-인듐-아연 산화물 박막 트랜지스터(HIZO - TFT)에서 스퍼터링 파워에 따른 전기적 특성의 변화를 체계적으로 조사하였다. HIZO채널층은 실온에서 무선 주파수(RF) 마그네트론 스퍼터링 방법으로 다양한 파워에 따라 증착되었다. 이차이온질량분석법(TOF-SIMS)은 IZO박막에서 하프늄 원자의 도핑를 확인하기 위해 수행되었다. 스퍼터링 파워가 증가함에 따라 전계 효과 이동성(μFE)은 증가하였고 문턱 전압(V_(th)) 은 음의 방향으로 이동하였다. 그 이유는 ？높은 스퍼터링 파워에 의해 HIZO층에 결합되어 있는 산소원자의 결합을 끊어 산소공공이 만들어졌기 때문에 생성된 산소공공이 전류 흐름에 기여한 것이다.