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dc.contributor.author김윤회-
dc.contributor.author정근-
dc.contributor.author윤석진-
dc.contributor.author송종한-
dc.contributor.author박경봉-
dc.contributor.author최지원-
dc.date.accessioned2024-01-20T18:33:46Z-
dc.date.available2024-01-20T18:33:46Z-
dc.date.created2021-09-06-
dc.date.issued2010-09-
dc.identifier.issn1226-9360-
dc.identifier.urihttps://pubs.kist.re.kr/handle/201004/131123-
dc.description.abstractCCS방법이 적용된 off-axis RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 증착된 Ta2O5-SiO2의 유전체 박막에 관하여 연구를 하였다. 1500 μm 의 간격으로 비유전율 및 유전손실을 측정하여 Ta2O5-SiO2에 조성의 변화에 따른 유전특성의 변화를 나타내었다. 1 MHz 에서 높은 유전상수(k ~19.5) 와 낮은 유전손실(tanδ <0.05)을 보이는 영역들을 찾았는데, 이는증착된 기판(75×25 mm2 sized Pt/Ti/SiO2/Si(100))에서 SiO2 타겟 영역으로부터 각각 16 mm, 22 mm 떨어진 영역에서 찾을 수 있었다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국마이크로전자및패키징학회-
dc.title상온에서 연속 조성 확산법에 의해 증착된 Ta2O5-SiO2 유전특성-
dc.title.alternativeDielectric Properties of Ta2O5-SiO2 Thin Films Deposited at Room Temperature by Continuous Composition Spread-
dc.typeArticle-
dc.description.journalClass2-
dc.identifier.bibliographicCitation마이크로전자 및 패키징학회지, v.17, no.2, pp.35 - 40-
dc.citation.title마이크로전자 및 패키징학회지-
dc.citation.volume17-
dc.citation.number2-
dc.citation.startPage35-
dc.citation.endPage40-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.identifier.kciidART001462220-
dc.subject.keywordAuthorDielectric-
dc.subject.keywordAuthorHigh-K-
dc.subject.keywordAuthorContinuous Composition Spread(CCS)-
dc.subject.keywordAuthorLow processing temperature-
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KIST Article > 2010
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