GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser에서 deep mesa 구조에 의한 문턱전류 감소
- Other Titles
- Threshold Current Reduction of GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser due to the Deep Mesa Structure
- Issue Date
- 2008-11
- Publisher
- 한국진공학회
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.17, no.6, pp.523 - 527
- Abstract
- GaAs/AlGaAs 물질계를 기반으로 한 양자폭포레이저를 제작하였다. 양자폭포레이저는 활성층의 위까지만 식각된 shallow mesa 구조와 활성층까지 식각된 deep mesa 구조로 제작되었다. shallow mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도가 26-32 kA/cm2 이었지만 deep mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도는 13 kA/cm2로 대단히 감소되었다. Deep mesa 구조에서의 문턱전류 감소는 측면 방향으로의 전류 손실이 감소되었기 때문으로 설명되었다.
- Keywords
- Quantum cascade lasers; Quantum well; Threshold current; 양자폭포레이저; 양자우물; 문턱전류
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- KIST Article > 2008
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