InGaAs 양자점 레이저 다이오드와 양자우물 레이저 다이오드의 특성 비교

Abstract

분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)로 성장된 InGaAs 양자점 레이저 다이오드(quantum dot laser diode, QD-LD)와 InGaAs 양자우물 레이저 다이오드(quantum well laser diode, QW-LD)의 특성을 비교하였다. 펄스 입력전류 하에서 문턱전류밀도(threshold current density, Jth), 특성온도(characteristic temperature, T0), 온도에 따른 발진파장의 변화도(dλ/dT)를 측정한 결과, 양자우물 레이저 다이오드는 Jth = 322 A/cm2 , T0 = 55.2 K , dλ/dT = 0.41 nm/℃로 측정되었으며, 양자점 레이저 다이오드는 Jth=116 A/cm2 , T0 = 81.8 K , dλ/dT = 0.33 nm/℃로 측정되었다. 양자점 레이저 다이오드는 양자우물 레이저 다이오드와 비교하였을 때, 문턱전류밀도 및 발진 광 파워가 상대적으로 우수한 결과를 보여주었다.