DSpace at KIST: 1.55 m 파장에서 P-p-n-N GaAs/AlGaAs 위상변조기의 높은 위상변조 효율

Browse

My Repository

DSpace at KISTKIST Article 2004

1.55 m 파장에서 P-p-n-N GaAs/AlGaAs 위상변조기의 높은 위상변조 효율

Other Titles: High Phase Modulation Efficiency of P-p-n-N GaAs/AlGaAs Phase Modulator at 1.55m

Authors: 변영태; 김선호; 전영민

Issue Date: 2004-11

Publisher: 한국물리학회

Citation: 새물리, v.49, no.5, pp.406 - 411

Abstract: 단일모드 GaAs/AlGaAs ridge 도파로 위상변조기가 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 성장기법과 화학적인 습식식각 방법을 이용하여 제작되었다. P-p-n-N 이중의 이종접합(double heterostructure) 위상변조기의 위상변조 특성은 역 바이어스 전압을 변화시키면서 Mach-Zehnder 간섭 방법을 이용하여 1.55 $\mu$m 파장에서 측정되었다. TE 편광에서 측정된 스위칭 전압은 2.2 볼트이고 위상변조 효율은 40.9$^\circ$/V$\cdot$mm로 높게 얻어졌다. 이 위상 변조 효율은 1.55 $\mu$m 파장에서 GaAs/AlGaAs 와 InGaAsP/InP 위상변조기들에서 보고된 가장 큰 실험 값이다.

Keywords: P-p-n-N waveguide phase modulator; GaAs/AlGaAs ridge waveguide; Mach-Zehnder interferometer; Phase modulation efficiency; P-p-n-N 도파로 위상 변조기; GaAs/AlGaAs ridge 도파로; Mach-Zehnder 간섭계; 위상변조 효율; P-p-n-N waveguide phase modulator; GaAs/AlGaAs ridge waveguide; Mach-Zehnder interferometer; Phase modulation efficiency

ISSN: 0374-4914

URI: https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/137089

Appears in Collections:: KIST Article > 2004

Files in This Item:

Export: RIS (EndNote); XLS (Excel); XML

Show Full Item Record

qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE