ALE 방법에 의해 성장된 InAs/GaAs 양자점의 전자 구속 효과 및 광학적 특성

Abstract

분자선 에피택시를 이용하여 atomic layer epitaxy(ALE) 방법에 의해 성장된 InAs/GaAs 양자점의 전자구속 효과와 광학적 특성을 photoluminescence(PL)와 전기용량-전압(C-V) 측정을 통해 조사하였다. C-V특성으로부터 77 K와 상온에서 0차원적인 캐리어 구속 효과와 관련된 뚜렷한 plateau 형태를 관찰했고, 전자 분포 곡선을 통하여 77 K에서 시료표면으로부터 양자점이 위치한 깊이와 일치하는 300 nm 부근에서 피크가 나타났지만, 상온에서는 열에너지의 영향에 기인되어 285 nm 부근에서 나타남을 관측하였다. 15 K에서 상온까지 온도 변화에 따른 PL신호를 Gaussian fitting한 결과로부터 바닥준위와 첫번째 여기준위에서의 PL 반치폭이 온도변화에도 거의 일정하게 유지되는 것을 확인함으로써, ALE 방식에 의해 성장된 양자점의 경우 상온에서도 운반자들이 잘 속박되어 있다는 것을 확인하였다.