다양한 반도체-유전체 덮개층 조합을 이용한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 무질서화
- Other Titles
- Dielectric cap quantum well disordering for band gap tuning of InGaAs/InGaAsP quantum well structure using various combinations of semiconductor-dielectric capping layers
- Issue Date
- 2002-12
- Publisher
- 한국진공학회
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.11, no.4, pp.207 - 211
- Abstract
- 반도체-유전체 덮개층의 다양한 조합이 In0.53Ga0.47As/InGaAsP(Q1.25) 양자우물 무질서화에 미치는 영향을 PL (Photoluminescence)을 이용하여 조사하였다. 청색 편이에 대한 문턱 온도는 약 750℃ 였으며 전반적으로 온도가 올라감에 따라 청색 편이도 점차 증가하였으나 SiO2의 경우에는 온도가 올라감에 따라 포화되는 경향을 보였다. SiNx가 SiO2보다 더 큰 청색 편이를 야기하였는데 이것은 SiNx의 낮은 성장 온도와 관계가 있는 것으로 생각된다. SiNx의 경우 P의 확산이, 그리고 SiO2의 경우 Ga의 확산이 청색 편이에 중요한 역할을 하는 것으로 여겨진다.
- Keywords
- 양자우물 무질서화; InGaAs/InGaAsP 양자우물
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- KIST Article > 2002
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