DSpace at KIST: Ohmic 층으로서 HgSe/GaAs의 성장 조건 및 HgSe/p-ZnSe/GaAs 구조의 전기적 특성

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	김제원	-
dc.contributor.author	최인훈	-
dc.contributor.author	김진상	-
dc.contributor.author	서상희	-
dc.date.accessioned	2024-01-21T19:33:09Z	-
dc.date.available	2024-01-21T19:33:09Z	-
dc.date.created	2022-01-10	-
dc.date.issued	1996-07	-
dc.identifier.uri	https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/144401	-
dc.title	Ohmic 층으로서 HgSe/GaAs의 성장 조건 및 HgSe/p-ZnSe/GaAs 구조의 전기적 특성	-
dc.type	Article	-
dc.description.journalClass	3	-
dc.identifier.bibliographicCitation	응용물리 = Ungyoung Mulli (The Korean Physical Society), v.9, no.4, pp.513 - 517	-
dc.citation.title	응용물리 = Ungyoung Mulli (The Korean Physical Society)	-
dc.citation.volume	9	-
dc.citation.number	4	-
dc.citation.startPage	513	-
dc.citation.endPage	517	-
dc.subject.keywordAuthor	HgSe/GaAs	-
dc.subject.keywordAuthor	HgSe/p-ZnSe/GaAs	-
dc.subject.keywordAuthor	전기적 특성	-

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