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199609MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기
199907Fabrication and characterization of planar resonant tunneling devices incorporating Inas self-assembled quantum dots정석구; 황성우; 박정호; 김용; 김은규
200011Growth behavior of GaAs/AlGaAs multi-layers grown on U-grooved GaAs fusion layer on InP substrate황성민; 박용주; 나종범; 김은규; 최인훈
199703Fabrication of V-grooved inner stripe GaAs-AlGaAs quantum-wire lasers김태근; 황성민; 김은규; 민석기; 전종일; 임시종; Jichai Jeong; 박종호
199607CBr4 가스를 사용하여 (100) 및 2 ˚ off (100) GaAs 기판 위에 성장한 탄소도핑된 GaAs 에피층의 전기적 성질손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈
199601Characteristics of the plasma-induced GaAs nitride layer and its application for the selective area growth.김성일; 민석기; 김은규; 박영주; 최원철; 이상훈; 손맹호
199601Electrical properties of carbon-doped GaAs epilayers by atmospheric pressure MOCVD using CBr//4.손창식; 김성일; 김은규; 민병돈; 민석기; 최인훈
199501Surface properties and electrical behavior of GaAs treated with (NH//4)//2S//x solution.김성일; 민석기; 이주희; 김은규; 손맹호; 최원철; 최무용
199706InGaAs layer effect on the growth of AlGaAs/GaAs quantum wires on V-grooved GaAs substrates김은규; 이민석; 김성일; 박용주; 민석기; 이정용
199601Lateral growth rate control of GaAs on patterned substrates by CCl//4 and CBr//4 during MOCVD.김성일; 김무성; 민석기; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규