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199704Gas source molecular beam epitaxy 를 이용한 GaAs/AlGaAs 다중양자우물 구조의 성장우덕하; 최석근; 김회종; 한일기; 최원준; 이석; 이정일; 김선호; 강광남
199701The characteristics of In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As heterojunction bipolar transistors illuminated by laser김종욱; 강현일; 오재응; 김회종; 최원준; 이석; 한일기; 우덕하; 이정일; 김선호; 강광남
199701Optical controlled AlGaAs/GaAs pseudomorphic MODFET김회종; 송상호; 김동명; 우덕하; 이석; 최원준; 한일기; 이정일; 김선호; 강광남; 조규만
199712Reduced Al-Ga interdiffusion in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structure by introducing Si-rich SiN capping layer for dielectric cap quantum well disordering최원준; 김회종; 한상민; Syed ljaz Shah; 최석근; 이석; 우덕하; 한일기; 김선호; 이정일; 강광남
199712Si-rich SiN를 이용한 GaAs/AlGaAs 다층 양자 우물에서 Al-Ga 상호 확산의 감소최원준; 한상민; Syed ljaz Shah; 최석근; 우덕하; 한일기; 김회종; 김선호; 이정일; 강광남
199704선형 chirped grating 파장가변 다전극 DBR 레이저의 특성조성호; 김회종; 김필수; 오차환; 이석; 한일기; 이정일; 김선호; 강광남; 최원준; 우덕하; 윤태훈
199704The exchange of P and As in chemical beam epitaxy growth최석근; 우덕하; 김회종; 한일기; 최원준; 이석; 이정일; 김선호; 강광남; 김영동
199704파장 가변 다전극 DBR 레이저의 조화 왜곡 특성이석; 우덕하; 김회종; 한일기; 최원준; 이정일; 김선호; 강광남