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199610Thermal stability of sulfur-treated InP investigated by photoluminescence한일기; 우덕하; 김회종; 김은규; 이정일; 김선호; 강광남; 임한조; 박홍이
199501Photonic control of DC and microwave characteristics in AlGaAs/GaAs/InGaAs double heterostructure pseudomorphic HEMT's.김회종; 우덕하; 한일기; 최원준; 이정일; 강광남; S. J. Kim; D. M. Kim; H. Chung; S. I. Kim; S. H. Kim; K. Cho
199403Enhanced disordering of GaAs/AlGaAs multi quantum well by rapid thermal annealing using plasma enhanced chemical vapor deposition SiN capped layer grown at high RF power conditoin.김용; 최원준; 이정일; 한일기; 강광남; 박홍이; 조규만
199704Gas source molecular beam epitaxy 를 이용한 GaAs/AlGaAs 다중양자우물 구조의 성장우덕하; 최석근; 김회종; 한일기; 최원준; 이석; 이정일; 김선호; 강광남
199201Charge trapping instabilities in SiO2/InP MIS structures.강광남; 이정일; 최병두; 김충환; 임한조; 한일기
199101Heating effect in plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitride.강광남; 이정일; J. H. Jo; 한일기; Y. J. Lee
199101Active and passive element modeling for MMIC, talking process conditions into account.강광남; 이정일; 한일기; 이유종; 김성일; S. H. Hong
199101Spectroscopic ellipsometry measurements on the silicon nitride films formed by PECVD in InP.강광남; 이정일; 한일기; 김상열
199201PECVD 방법에 의해 제작된 SiNx/InP MIS 구조의 bias stress 에 의한 C-V 및 G-V 곡선의 변화 .강광남; 이정일; 이명복; 한일기; 이유종
199201Study of charge trapping instabilities in Si//xN/InP MIS structure by constant capacitance method.강광남; 이정일; C. H. Kim; 한일기; C. Choe; H. Lim

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