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199201Growth of γ-Al2O3 thin films on silicon by low pressure metal-organic chemical vapor deposition.이정일; S. S. Yom; W. N. Kang; Y. S. Yoon; D. J. Choi; T. W. Kim; K. Y. Seo; P. H. Hur; C. Y. Kim
199201In0.52Al0.48As 장벽사이에서의 In0.65GaO0.35As/In0.53Ga0.47As 양자우물에서의 부띠에너지와 파동함수의 결정강광남; 이정일; 김태환; 강승언; 이규석
199201Charge trapping instabilities in SiO2/InP MIS structures.강광남; 이정일; 최병두; 김충환; 임한조; 한일기
199201Effects of carrier-velocity saturation on the characteristics of short channel MOSFETs with lightly doped drains.강광남; 이정일; M. B. Lee; K. S. Yoon; S. Hong
199201A simple model for second substrate current hump in LDD MOSFETs.강광남; 이정일; M. B. Lee; K. S. Yoon; S. Hong
199201Electrical subbands in a both-side-modulation-doped In//0//.//5//2Al//0//.//4//8As/In//0//.//6//5Ga//0//.//3//5As single quantum well.강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo; G. Ih
199201PECVD 방법에 의해 제작된 SiNx/InP MIS 구조의 bias stress 에 의한 C-V 및 G-V 곡선의 변화 .강광남; 이정일; 이명복; 한일기; 이유종
199201Study of charge trapping instabilities in Si//xN/InP MIS structure by constant capacitance method.강광남; 이정일; C. H. Kim; 한일기; C. Choe; H. Lim
199201Schottky barrier enhancement of InGaAs with SiNx grown by PECVD.강광남; 이정일; 김충환; 박홍이; 한일기
199201Surface passivated InP MSM schottky diodes.강광남; 이정일; 최원준; 한일기; Y. J.Lee; G. H. Park; H. L. Park

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