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198910MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 .김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
199608Control of GaAs lateral growth rate by CBr4 during metalorganic chemical vapor deposition on patterned substrates김성일; 김무성; 김용; 손창식; 황성민; 민병돈; 김은규; 민석기
199811GaAs/AlGaAs buried channel stripe lasers by single-stage MOCVD on V-grooved substrates김은규; 김태근; 손창식; 황성민; 김용; 박영균; 민석기
199702Temperature dependence of photoluminescence peak from carbon-doped GaAs epilayers grown on high miller index GaAs substrates조신호; 손창식; 이달진; 김성일; 김용; 김은규; 민석기
199003Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI).김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
199704Electrical properties of rapid thermal annealed carbon-doped InGaAs grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition손창식; 김성일; 김태근; 김용; 조신호; 박영균; 김은규; 민석기; 최인훈
199805Suppression of Ostwald ripening in In0.5Ga0.5As quantum dots on a vicinal (100) substrate민병돈; 김용; 김은규; 민석기; 박만장
199907Fabrication of quantum dot transistors incorporating single self-assembled quantum dot황성우; 정석구; 박정호; 김용; 김은규
199609MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기
199907Fabrication and characterization of planar resonant tunneling devices incorporating Inas self-assembled quantum dots정석구; 황성우; 박정호; 김용; 김은규

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