여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성

Title
여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성
Authors
민병돈황성민손창식김성일김무성김은규민석기박만장
Keywords
MOCVD; GaAs epi-layer; carbon doping; substrate orientation
Issue Date
1996-05
Publisher
응용물리; Ungyong Mulli (The Korean physical society)
Citation
VOL 9, NO 3, 372-376
URI
http://pubs.kist.re.kr/handle/201004/24589
Appears in Collections:
KIST Publication > Article
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