MBE 장비에서 droplet 방법으로 형성된 GaAs 양자점의 광학적 특성분석

Title
MBE 장비에서 droplet 방법으로 형성된 GaAs 양자점의 광학적 특성분석
Authors
하승규임주영송진동김종수최원준이정일
Keywords
droplet epitaxy; MBE; GaAs; quantum dot; decay time; 양자점; 시간상수; 열처리; photoluminescence
Issue Date
2009-02
Publisher
제 36 회 한국진공학회 동계 정기학술대회
Abstract
분자선 박막증착(MBE) 장비에서 droplet 방법으로 형성한 GaAs 양자점의 나노포토닉스 소자로의 응용을 위한 물리 현상 탐구를 위하여 광학적 특성을 측정하였다. 광발광(photo-luminescence) 측정으로 얻은 발광 스펙트럼으로부터 증착된(as-grown) 샘플과 열처리(annealing) 후의 샘플에 대하여 광학적 특성의 차이를 분석하였다. 여기광의 강도 조절에 따른 발광 스펙트럼 형태의 변화로부터 기저 상태와 여기 상태의 발광성분을 분리하였으며, 가장 높은 발광 세기를 갖는 기저 상태의 800 nm 대역 발광 파장은 열처리 후에 750 nm 대역으로 이동하였다. 이 때 반치폭(FWHM)은 약 3 meV에서 약 30 meV로 증가하였다. 또한 펨토초 펄스 레이저와 고속 광증배관 등을 이용하는 시간상관 단일광자 계수법(Time-Correlated Single Photon Counting)을 활용하여 발광 스펙트럼의 각 에너지 성분에서의 발광에 대한 시간상수를 측정하였고, 이로부터 각각의 발광 성분이 생성되는 원인을 분석하였다.
URI
http://pubs.kist.re.kr/handle/201004/36838
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KIST Publication > Conference Paper
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