Arsenic 분압에 따른 GaAs 양자 구조 표면 변화

Title
Arsenic 분압에 따른 GaAs 양자 구조 표면 변화
Authors
이은혜송진동김수연한일기장수경이정일
Keywords
GaAs; 나노링
Issue Date
2011-02
Publisher
한국진공학회 제40회 정기 하계학술대회
Abstract
Droplet epitaxy 방법에 기초한 quantum ring 양자 구조가 성장됨. As4 flux를 1e-5 torr에서 3e-8 torr로 감소시켰을 때 quantum dot에서 ring으로 변화함을 볼 수 있었음. Quantum ring이 나타나는 As4 flux는 1e-6 torr이고, 2.5e-7 torr까지 Ga에 의한 driving force에 의해 내경이 증가함. As4 flux 1.2e-7 torr 이하에서 눈에 띄는 변화는 없었음. 오히려 외경이 줄어들고, quantum ring이 symmetrical shape을 가짐. 외경 46.7 ~ 66.7nm, 내경: 10 ~ 20nm의 quantum ring에 대한 macroPL 측정 결과 751~757nm peak를 보였음. Quantum dot의 macroPL 결과와 비교했을 때 quantum ring의 PL peak position이 blue shift함. 추후 TEM 분석 등 구조에 대한 분석과 microPL을 이용한 분석이 수행되어야 함.
URI
http://pubs.kist.re.kr/handle/201004/39471
Appears in Collections:
KIST Publication > Conference Paper
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