유전체덮개 양자우물 무질서공정에서 SiNx 덮개층 성장시 NH3 유량비 조절을 통한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 밴드갭 조절

Title
유전체덮개 양자우물 무질서공정에서 SiNx 덮개층 성장시 NH3 유량비 조절을 통한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 밴드갭 조절
Authors
최원준이희택우덕하이석김선호조재원
Issue Date
2000-02
Publisher
제11회 한국광학회 동계학술발표회 논문집
Citation
, 256-257
URI
http://pubs.kist.re.kr/handle/201004/39508
Appears in Collections:
KIST Publication > Conference Paper
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