Improvement of electroluminescence in CdSe quantum dots LED by using indium gallium zinc oxide charge transport layers

Title
Improvement of electroluminescence in CdSe quantum dots LED by using indium gallium zinc oxide charge transport layers
Authors
윤성룡전민현이전국
Keywords
Quantum dot LEDs; Indium Gallium Zinc Oxide; Carrier concentration; Electroluminescence
Issue Date
2012-11
Publisher
2012년도 한국재료학회 추계학술대회
Abstract
전하수송층을 ZTO에서 IGZO로 바꾸었을 때 구동전압이 줄어드는 것으로 보아 더 낮은 valance band의 영향을 받은 것으로 보임 IGZO층의 두께가 두꺼우면 캐리어농도가 감소하지만 이동도가 증가하여 양자점에서의 재결합을 증가시켜 EL특성이 나타남 양자점의 두께가 두꺼워지면서 양자점층이 마치 절연막과 같은 역할을 하게 되어 전하의 이동이 제한되면서 낮은 전류밀도가 나왔으며 EL 특성이 나타나지 않음
URI
http://pubs.kist.re.kr/handle/201004/43929
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KIST Publication > Conference Paper
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