Growth of Large Scale CdTe(400) Thin Films by MOCVD

Title
Growth of Large Scale CdTe(400) Thin Films by MOCVD
Authors
김광천정규호유현우임주혁김현재김진상
Keywords
MOCVD; CdTe; Thin film; Buffer layer
Issue Date
2010-04
Publisher
전기전자재료학회논문지 (Journal of KIEEME)
Citation
VOL 23, NO 4, 343-346
Abstract
본 연구에서는 As과 GaAs 버퍼 레이어를 이용하여 CdTe 물질과 실리콘 기판간의 격자 부정합과 자연적인 산화막에 의한 영향을 줄여 적외선 초점 배열면 (IFPAs: IR focal plane arrays)에 쓰이는 단결정 대면적 CdTe 박막을 얻고자 하였다. 버퍼 레이어의 증착방법으로는 Molecular beam epitaxy(MBE)가 사용 되었으며 CdTe 박막의 증착은 Metal organic chemical deposition(MOCVD)를 이용 하였다. 실험 결과 Si(100)기판 과 As이 버퍼 레이어로 증착된 Si(100)기판에서는 다결정 CdTe박막이 성장 되었으며 GaAs가 버퍼 레이어를 쓰인 Si(100)기판에서는 거울면과 hillock 구조가 관찰되는 CdTe(400)의 단결정 박막을 얻을 수 있었다.
URI
http://pubs.kist.re.kr/handle/201004/45568
ISSN
1226-7945
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KIST Publication > Article
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