화학적 힐링을 통한 환원 그래핀의 고품질화

Title
화학적 힐링을 통한 환원 그래핀의 고품질화
Authors
고문주최용문
Keywords
그래핀; 결함구조 제어; 화학적 힐링; 고 전기전도도; 탄소; graphene
Issue Date
2013-10
Publisher
섬유기술과 산업(Fiber Technology and Industry)
Citation
VOL 17, NO 3, 195-199
Abstract
ICDC 반응은 RGO의 결함을 치유하기 위한 효과적인 방법 으로서 가능성을 보여주고 있다. 이 방법을 통해 ICDC 반응의 시간이 증가함에 따라 IG/ID의 비율과 AC=C/AC-C의 상대적인 증 가를 확인하였다. FeCl3를 이용해 RGO을 치유하였을 때 전기 전도도는 71 S/cm로 약 14배가 증가하였다. 이것을 통해 RGO 의 표면에 sp2-혼성화 탄소 구조가 복원된 것을 확인하였다. ICDC 반응은 상온에서 진행했는데, 이것은 aryl-aryl 결합 복원 의 장점으로써, H-RGO을 FeCl3로 처리했을 때 RGO에 비해 높 은 열적 안정성을 보여주었다. 따라서, ICDC 반응은 상온에서 그래핀에 대한 간단하지만 효과적인 결함 복원 방법으로써 대규모, 저비용 그래핀 생산에 크게 기여를 할 것으로 예상된 다. 또한, ICDC의 화학적 힐링은 그래핀 이외에 나노탄소재료 의 고품질화에 응용될 것으로 기대된다
URI
http://pubs.kist.re.kr/handle/201004/46017
ISSN
12265160
Appears in Collections:
KIST Publication > ETC
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