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dc.contributor.author김세민-
dc.contributor.author문성욱-
dc.contributor.author보우지드, 압데싸타르-
dc.contributor.author이동훈-
dc.date.accessioned2015-12-04T08:20:31Z-
dc.date.available2015-12-04T08:20:31Z-
dc.date.issued20131226-
dc.identifier.other1020137034452-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1020137034452en_US
dc.identifier.urihttp://pubs.kist.re.kr/handle/201004/51592-
dc.description.abstract본 발명은 InGaAs/InP 아발란치 포토다이오드(APD)에 기초하는, 1.55 μm 의 전기통신 파장에서의 단광자 검출기(SPD)에 관한 것이다. SPD 를 낮은 후방 펄스 잡음에서 동작시키기 위해서는, 항복 전압보다 낮은 DC 바이어스 전압이 InGaAs/InP APD에 인가된다. 양극성 구형 게이팅 신호가 상기 DC 바이어스 전압과 중첩되고 게이트 신호의 각 주기의 게이트 온 시간 동안 항복 전압을 초과하도록 APD에 인가된다. 양극성 구형 게이팅 신호의 사용은 게이트 오프 시간 동안 APD를 항복 전압보다 훨씬 낮게 동작시킬 수 있도록 하고, 이로써 트랩된 전하 캐리어들의 방출을 더욱 빠르게 만들고, 후방 펄스 잡음을 감소시킨다. 결과적으로, SPD의 반복률을 증가시키는 것을 가능하게 한다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title양극성 구형 게이팅 신호와 함께 동작되는 InGaAs/InP 아발란치 포토 다이오드를 이용하는 근적외선에서의 단광자 검출기-
dc.typePatent-
Appears in Collections:
KIST Patent > 2013
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