탄소나노튜브 양을 조절하는 방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브 소자 제조방법

Title
탄소나노튜브 양을 조절하는 방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브 소자 제조방법
Authors
김경헌김선호변영태우덕하이석장지웅전영민
Issue Date
2011-05-12
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 반도체 구조물 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하고, 흡착된 탄소나노튜브 입자에 산소 플라즈마 처리를 수행함으로써 흡착된 탄소나노튜브 중 일부를 제거시키는 단계를 포함하여 탄소나노튜브 소자에서 탄소나노튜브 양을 조절하는 방법을 제공한다.
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KIST Patent > 2011
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