강유전체 박막의 형성방법 및 평면 구조 소자의 제조방법

Title
강유전체 박막의 형성방법 및 평면 구조 소자의 제조방법
Authors
강민규강종윤김진상도영호오승민윤석진장호원최지원
Issue Date
2011-02-01
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 강유전체 박막의 형성방법 및 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것으로, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(제조)시킬 수 있는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 이용한 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 (ⅰ) 기판 상에 비정질의 예비 강유전체 박막을 형성하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 비정질의 예비 강유전체 박막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화하는 단계를 포함하되, 상기 (ⅰ)단계에서는 비정질의 예비 강유전체 박막을 50㎚ 이상의 두께로 형성하고, 상기 (ⅱ)단계에서는 엑시머 레이저를 50 mJ/㎠ 내지 200 mJ/㎠의 에너지 밀도와, 1회 내지 2,000회의 조사횟수로 조사하는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 포함하는 평면 구조 소자의 제조방법을 제공한다.  본 발명에 따르면, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(결정화)할 수 있으며, 엑시머 레이저 어닐링의 특성상 박막 하단부에 잔존하는 비정질층의 영향을 받지 않는 평면 구조 소자(Device of planar structure)를 구현하여 고온 소결에 의한 박막보다 우수한 유전 특성을 가지는 강유전체 소자를 제조할 수 있다.
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KIST Patent > 2011
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