식각형 공명에너지전달 발광다이오드

Title
식각형 공명에너지전달 발광다이오드
Authors
곽준섭최경진
Issue Date
2011-08-11
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 공명 에너지전달(FResonance Energy Transfer, FRET) 발광다이오드(Light Emitting Diodes, LED)에 관한 것으로, LED 표면에 수 마이크로미터에서 수십 나노미터 크기의 hole을 형성하고 그 내부에 반도체 양자점을 균일 도포하여 백색의 광을 발광하는 LED에 관한 것이다.본 발명은 반도체 양자점을 LED 활성층으로부터 수 나노미터 이내로 근접시키게 되면, 활성층 내부에서 비복사 방식으로 소멸하는 전자-전공 결합에너지를 양자점으로 전달하게 되어 LED의 에너지변환효율을 증가시키고 ,반도체 양자점의 우수한 색재현성으로 이상적인 백색광에 근접한 빛을 발생시키는 효과가 있다.
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2011
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