산화막 제거 방법과 이 방법에 사용된 스퍼터링 장치, 산화막 제거 방법을 이용한 전자소자의 제조방법 및 산화막 제거 방법이 적용되어 형성된 전자소자

Title
산화막 제거 방법과 이 방법에 사용된 스퍼터링 장치, 산화막 제거 방법을 이용한 전자소자의 제조방법 및 산화막 제거 방법이 적용되어 형성된 전자소자
Authors
신경호이경일
Issue Date
2010-10-27
Publisher
한국과학기술연구원; 삼성전자주식회사
Abstract
본 발명의 일 실시예에 의한 산화막 제거 방법은 산화막이 형성된 요소를 포함하는 기판을 스퍼터링 장치의 기판 홀더에 장착하되, 상기 산화막이 노출되도록 장착하고, 상기 기판 홀더에 플라즈마 발생용 전압을 인가하여 상기 산화막을 제거한다. 상기 기판은 자기 터널 접합(MTJ) 소자의 일부 구성, 스핀 소자의 일부 구성 또는 나노선 소자의 일부 구성을 포함할 수 있다. 상기 기판 홀더에 상기 산화막이 제거된 표면의 표면 거칠기를 제어하기 위한 제어수단이 더 구비될 수 있다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > 2010
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE