고효율 저항 변화 기억 소자용 다층 금속 산화물 박막 구조물 및 그 제조방법

Title
고효율 저항 변화 기억 소자용 다층 금속 산화물 박막 구조물 및 그 제조방법
Authors
양민규이전국
Issue Date
2010-09-03
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화망간 또는 산화탄탈륨 바이너리 산화물을 포함하는 스위칭 소자 및 탄탈륨 상부전극을 포함하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물은 기판과, 상기 기판 위에 형성되며, 백금을 포함하여 이루어진 하부전극과, 상기 하부전극 상에 형성된 산화망간 또는 산화탄탈륨 바이너리 산화물 박막을 포함하는 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자 상에 형성된 탄탈륨을 포함하는 상부전극을 포함하여 이루어지고, 본 발명의 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 제조방법은 (a) 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계, (b) 상기 하부전극 상에 산화망간 또는 산화탄탈륨 바이너리 산화물 박막을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계 및 (c) 상기 바이너리 산화물 박막 상에 탄탈륨을 포함하는 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
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KIST Patent > 2010
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