실리콘을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터

Title
실리콘을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
Authors
이상렬정유진
Issue Date
2010-06-04
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
박막 트랜지스터는, 실리콘을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 채널층을 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는, 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 인듐(In), 티타늄(Ti), 갈륨(Ga) 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질 및 아연(Zn)을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 채널층은 실리콘 산화인듐아연(Si-InZnO; SIZO)으로 이루어질 수도 있다. 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 10℃ 내지 400℃의 온도에서 실리콘을 포함하는 산화물 반도체로 이루어지는 타겟에 전력을 인가함으로써 채널층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
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KIST Patent > 2010
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