상온에서 증착된 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막, 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법

Title
상온에서 증착된 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막, 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법
Authors
김동훈김일두송용원
Issue Date
2010-01-08
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 상온에서 스퍼터링 법으로 증착된 Mg2Hf5O12 유전체 박막과 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막, MgO 및 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막 또는 HfO2 및 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막과; 기판, 제1 전극, 제2 전극 및 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 캐퍼시터; 및 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 채널층, 및 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 절연막은, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다. 또한, (a) MgO 분말과 HfO2 분말을 혼합하고 고온에서 하소하여 MgO - HfO2 복합체를 형성하는 단계; (b) 상기 MgO - HfO2 복합체를 분쇄하고 성형한 후 고온 소결하여 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 형성하는 단계 및; (c) 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 이용하여 스퍼터링 법으로 박막을 형성하는 단계를 포함하는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법과; 상기의 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법을 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
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KIST Patent > 2010
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