전계 효과 트랜지스터 센서 어레이 및 그 제조 방법

Title
전계 효과 트랜지스터 센서 어레이 및 그 제조 방법
Authors
김경헌김선호김수현김신근김재헌변영태이석
Issue Date
2009-11-30
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 다수의 검지 물질을 측정할 수 있도록 설계된 전계 효과 트랜지스터 센서 어레이 및 이러한 전계 효과 트랜지스터 센서 어레이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 기판 상의 n×n 센서 어레이를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 센서 어레이로서, 검지하고자 하는 물질에 대응하는 복수의 게이트 전극과; n개의 공통 소오스 전극과; n개의 공통 드레인 전극을 포함함으로써 복수의 물질을 검지할 수 있는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 센서 어레이를 제공한다. 즉, 본 발명에 따른 전계 효과 트랜지스터 센서 어레이에서는 검지하고자 하는 물질 수에 대응하는 게이트 전극 및 센서의 각 행과 열에 대한 공통된 드레인 전극 및 소오스 전극을 포함하도록 구성하고, 이러한 전극 배열을 효과적으로 구성할 수 있는 설계 구조 및 이를 제작할 수 있는 제조 방법을 제공함으로써, 다수의 검지물질을 동시에 측정할 수 있는 소형화된 전계 효과 트랜지스터(Field effect transistor; FET) 센서 어레이(Sensor Array) 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
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KIST Patent > 2009
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