InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법

Title
InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법
Authors
김태엽송진동신경호신상훈이긍원이진서임주영주성중홍진기
Issue Date
2009-11-19
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 자기논리소자응용을 위해 자기장 제어 눈사태현상을 이용하여 상온 동작하는 InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법에 관한 것이다. 이 발명의 스위칭 소자는, 자기장을 수직 또는 수평 방향으로 인가시, 일 방향에서 대향하는 타 방향으로 제1 Hall 전계를 형성하도록 동작하는 p형 반도체; 및 상기 p형 반도체와 동일한 방향으로 인가된 자기장에 따라 상기 타 방향에서 대향하는 일 방향으로 제2 Hall 전계를 형성하여 상기 제1 Hall 전계를 억제시키도록 형성된 n형 반도체를 포함한다.
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KIST Patent > 2009
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