자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법

Title
자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법
Authors
민병철신경호최경민
Issue Date
2009-08-21
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 자기터널접합 디바이스는 i) (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 제1 자성층, ii) 제1 자성층 위에 위치하는 절연층, 및 iii) 절연층 위에 위치하고, (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 제2 자성층을 포함한다. 제1 자성층 및 제2 자성층은 수직자기 이방성을 가지고, A 및 상기 B는 각각 금속 원소이며, C는 B(붕소), C(탄소), Ta(탄탈륨) 및 Hf(하프뮴)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 비정질화 원소이다.
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KIST Patent > 2009
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