은이 도핑된 산화아연 나노선을 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

Title
은이 도핑된 산화아연 나노선을 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
Authors
김경원박동훈이상렬
Issue Date
2009-09-10
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
전계 효과 트랜지스터는, 기판; 상기 기판상의 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 위치하며, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 나노선을 포함할 수 있다. 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은, 제1 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계; 상기 나노선의 적어도 일부를 상기 제2 기판으로부터 분리하여 용액에 혼합시키는 단계; 상기 나노선이 혼합된 용액을 제1 기판에 주입하여 상기 제1 기판상에 나노선을 위치시키는 단계; 및 상기 제1 기판상에 상기 나노선을 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
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KIST Patent > 2009
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