포토리소그래피 공정만을 이용한 나노 물질의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 나노구조 다중채널 FET 소자 제조 방법

Title
포토리소그래피 공정만을 이용한 나노 물질의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 나노구조 다중채널 FET 소자 제조 방법
Authors
김경헌김선호김수현김신근변영태이석전영민
Issue Date
2009-09-23
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 포토리소그래피(photolithography) 공정만을 이용하여 나노 물질(nanotube, nanowire)을 기판에 선택적으로 흡착 시키는 공정 방법 및 대량생산이 가능한 다중채널 FET 소자 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 실리콘 기판위에 산화막(SiO2)을 형성시키는 단계와; 포토리소그래피 공정으로 산화막 위에 임의의 PR 패턴을 제작하는 단계와; 용액공정으로 상기 시료 표면에 나노물질을 흡착시키는 단계와; 나노물질이 흡착된 시료표면의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와; 선택적으로 패턴된 나노물질의 배열을 이용하여 다중채널 FET 소자를 제조하는 반도체 공정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적인 나노튜브 패턴 제작과 나노튜브 다중채널 FET 소자를 제조하는 방법이 제시된다.
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KIST Patent > 2009
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