금속이온 이용 무전해 에칭법에 의한 다발구조의 실리콘 나노로드 제조방법 및 이를 함유하는 리튬이차전지용 음극 활물질

Title
금속이온 이용 무전해 에칭법에 의한 다발구조의 실리콘 나노로드 제조방법 및 이를 함유하는 리튬이차전지용 음극 활물질
Authors
김상옥김형선박상은우주만이중기장원영정경윤조병원
Issue Date
2009-05-27
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 내부에 공극을 가지고 있는 직경 10 ~ 1000 nm 그리고 길이 0.1 ~ 100 ㎛ 범위의 다발형태의 실리콘 나노로드 구조체의 제조방법 및 이를 음극 활물질로 사용하는 리튬이차전지에 관한 것이다. 분말상태의 실리콘 표면에 금속을 전착시키는 것과 동시에 불산을 이용하여 부분적으로만 식각하여 실리콘이 갖는 낮은 전도도와 부피팽창에 대한 전극열화를 개선할 수 있는 고용량, 고효율 리튬이차전지용 음극활물질을 제공하는데 있다.
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KIST Patent > 2009
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