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dc.contributor.author김상옥-
dc.contributor.author김형선-
dc.contributor.author박상은-
dc.contributor.author우주만-
dc.contributor.author이중기-
dc.contributor.author장원영-
dc.contributor.author정경윤-
dc.contributor.author조병원-
dc.date.accessioned2015-12-04T08:25:59Z-
dc.date.available2015-12-04T08:25:59Z-
dc.date.issued20090527-
dc.identifier.other1020090046373-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1020090046373en_US
dc.identifier.urihttp://pubs.kist.re.kr/handle/201004/52701-
dc.description.abstract본 발명은 내부에 공극을 가지고 있는 직경 10 ~ 1000 nm 그리고 길이 0.1 ~ 100 ㎛ 범위의 다발형태의 실리콘 나노로드 구조체의 제조방법 및 이를 음극 활물질로 사용하는 리튬이차전지에 관한 것이다. 분말상태의 실리콘 표면에 금속을 전착시키는 것과 동시에 불산을 이용하여 부분적으로만 식각하여 실리콘이 갖는 낮은 전도도와 부피팽창에 대한 전극열화를 개선할 수 있는 고용량, 고효율 리튬이차전지용 음극활물질을 제공하는데 있다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title금속이온 이용 무전해 에칭법에 의한 다발구조의 실리콘 나노로드 제조방법 및 이를 함유하는 리튬이차전지용 음극 활물질-
dc.typePatent-
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KIST Patent > 2009
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