물리적 합성 방식을 이용한 도핑된 산화아연계 나노선 및 그 제조 방법

Abstract

실시예들은 도핑된 산화아연계 나노선 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 도핑된 산화아연계 나노선은, 도펀트에 의해 도핑된 산화아연을 포함하는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계

및 기화된 타겟 물질을 기판상에 증착시키는 단계에 의해 제조될 수 있다. 도핑된 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 기판 및 도펀트에 의해 도핑된 타겟 물질을 서로 인접하여 위치시키는 단계

상기 챔버를 가열하는 단계

및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.