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dc.contributor.author이상렬-
dc.date.accessioned2015-12-04T08:26:04Z-
dc.date.available2015-12-04T08:26:04Z-
dc.date.issued20090608-
dc.identifier.other1020090050419-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1020090050419en_US
dc.identifier.urihttp://pubs.kist.re.kr/handle/201004/52716-
dc.description.abstract실시예들은 도핑된 산화아연계 나노선 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 도핑된 산화아연계 나노선은, 도펀트에 의해 도핑된 산화아연을 포함하는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계-
dc.description.abstract및 기화된 타겟 물질을 기판상에 증착시키는 단계에 의해 제조될 수 있다. 도핑된 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 기판 및 도펀트에 의해 도핑된 타겟 물질을 서로 인접하여 위치시키는 단계-
dc.description.abstract상기 챔버를 가열하는 단계-
dc.description.abstract및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title물리적 합성 방식을 이용한 도핑된 산화아연계 나노선 및 그 제조 방법-
dc.typePatent-
Appears in Collections:
KIST Patent > 2009
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